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一文概述MOSFET场效应管六大主要参数

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-24 浏览:-

一文概述MOSFET场效应管六大主要参数

TO-220,MOS场效应管封装引脚外观

场效应管(MOSFET)之主要参数

一、开启电压UT:

通常情况下,刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅源电压我们称之为开启电压,用UGS(th)或UT表示,开启电压UT是增强型场效应管的参数,当栅源电压UGS小于开启电压绝对值时,场效应管则无法导通。

二、夹断电压UP(JFET):

当UDS为某一固定值(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS=UP时,漏极电流为零。

三、饱和漏极电流IDSS(JFET)

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。

四、直流输入电阻RGS:

直流输入电阻RGS是漏一源短路,栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。

结型场效应管:RGS》107ΩMOS管:RGS>109~1015Ω。

五、跨导Gm:

漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。

六、最大漏极功耗:

最大漏极功耗PD=UDSID,相当于三极管的PCM。

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