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SI2302场效应管参数 SI2302中文资料pdf封装引脚图报价规格书

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-23 浏览:-

SI2302场效应管参数 SI2302中文资料pdf封装引脚图报价规格书

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型号:SI2302;极性:N沟道;ID/VDSS:2.5A/20V;封装:SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

SI2302,SOT23,MOS场效应管封装引脚图


SI2302,SOT23,MOS场效应管封装引脚图 电路符号

产品参数概要

· ID:2.5A

· VDSS:20V

· RDS(ON)=72m? @VGS=4.5V

· RDS(ON)=110m? @VGS=2.5V

SI2302用于极低Rds(ON)的高密度电池设计获得无铅产品,坚固可靠,SOT-23封装。

SI2302,SOT23,MOS场效应管参数概要

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage(漏源电压Vds):-20v

· Gate-Source Voltage(栅源电压Vgs):±8v

· Continuous Drain Current(漏极电流Id 25℃):-2.8A

· Continuous Drain Current(漏极电流Id 70℃):-10A

· Power Dissipation(功率损耗Pd):1.25W

· Junction and Storage Temperature Range(温度范围):-55~150℃

壹芯微SI2302数据手册下还有热特性,静态特性与电电气参数等,建议自行阅读观看。

SI2302,SOT23数据手册(查看下载)

SI2302,SOT23,MOS场效应管,绝对最大额定参数

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