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7N65场效应管 MOS 7N65场效应管参数规格书(PDF)

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-26 浏览:-

7N65场效应管 MOS 7N65场效应管参数规格书(PDF)

7N65场效应管,封装形式为TO252/TO220两种封装,7N65场效应管规格书,7N65场效应管引脚管脚图

壹芯微7N65完美匹配替代原型号FQP7N65场效应管参数

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壹芯微7N65数据手册下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。

7N65,TO220数据手册(查看下载)

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绝对最大额定参数

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· Drain-Source Voltage(漏源电压Vds):650V

· Gate-Source Voltage(栅源电压Vgs):±30V

· Continuous Drain Current(漏极电流Id Tc=25℃):7A

· Continuous Drain Current(漏极电流Id Tc=100℃):28A

· Power Dissipation(功率损耗Pd):142W

· Junction and Storage Temperature Range(温度范围):-55~+150℃

壹芯微(Yixin)二极管选型品牌生产厂家,专注于二三极管功率半导体器件研发、生产、销售一体化服务,提供免费送样,选型帮助,技术支持。主要生产销售各式贴片/直插二三极管、MOS(场效应管)、肖特基二极管、快恢复二极管、低压降二极管、TVS二极管、整流二极管、可控硅(晶闸管)、三端稳压管(稳压电路)、桥堆等功率器件选型产品。壹芯微产品以高质量高标准的生产理念、精益求精品质如一的企业态度服务于大众,赢得业界内一致的好评。引进大量先进的二三极管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备等,芯片技术源自台湾,完美替代进口品牌,产品均已通过欧盟等各大管理体系认证,应用领域广泛,优质研发技术团队为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询在线客服或请致电135 3414 6615

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