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FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-31 浏览:-

FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

12N65场效应管参数(电流(ID):12A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)

12N65主要参数

12N65绝对最大额定参数

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值(Ta=25℃)

SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE价值 | UNIT单元

VDSS,Drain-Source Voltage漏源电压: 650V 

VGS,Gate-Source Voltage-Continuous栅源电压-连续:±30V 

ID,Drain Current-Continuous漏极电流-连续:12A 

IDM,Drain Current-Single Plused漏极电流-单加:48A 

PD,Total Dissipation总耗散@Tc=25℃:225W 

TJ|Max. Operating Junction Temperature最大工作结温:150℃

Tstg Storage Temperature储存温度:-55~150℃

12N65封装引脚

12N65封装规格

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